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Typical Characteristics
1.2
1.0
0.8
0.6
V GS = V DS
I D = 250 μ A
1.10
1.05
1.00
0.95
I D = 1mA
0.4
-80
-40 0 40 80 120 160
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
200
0.90
-80
-40 0 40 80 120 160
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
200
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
50000
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
10
I D = 80A
V DD = 12V
10000
C iss
8
6
V DD = 15V
1000
f = 1MHz
C oss
C rss
4
2
V DD = 18V
V GS = 0V
100
0.1
1
10
80
0
0
50 100 150
200
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE ( V )
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 14. Gate Charge vs Gate to Source Voltage
FDB8160_F085 Rev. C
6
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